IPO銘柄詳細
アドテック プラズマ テクノロジー
| コード | 市場 | 業種 | 売買単位 | 注目度 |
|---|---|---|---|---|
| 6668 | マザーズ | 1株 | B |
スケジュール
| スケジュール | |
|---|---|
| 仮条件決定 | 2004/07/06 |
| ブックビルディング期間 | 2004/07/08 - 07/14 |
| 公開価格決定 | 2004/07/15 |
| 申込期間 | 2004/07/16 - 07/21 |
| 払込期日 | 2004/07/23 |
| 上場日 | 2004/07/26 |
| 価格情報 | |
|---|---|
| 想定価格 | 870,000円 |
| 仮条件 | 800,000 - 940,000円 |
| 公開価格 | 940,000円 |
| 初値予想 | 2,350,000円 |
| 初値 | 2,100,000円 |
- スケジュールは上場企業都合により変更になる場合があります。
基本情報
| 代表者名 | 藤井修逸／S23年生 |
|---|---|
| 本店所在地 | 広島県福山市 |
| 設立年 | S60年 |
| 従業員数 | 67人 (2004/05/31現在)（連結） |
| 事業内容 | プラズマ用高周波電源、マッチングユニットおよび計測器などの設計、製造、販売および技術サービスの提供 |
| URL | http://www.adtec-rf.com |
| 株主数 | 71人 （目論見書より） |
| 資本金 | 342,598,000円 (2004/04/01現在) |
| 上場時発行済株数 | 8,336株 |
| 公開株数 | 1,938株（公募1,200株、売り出し488株、オーバーアロットメント250株） |
| 調達資金使途 | 借入金返済、運転資金 |
| 連結会社 | 2社 |
シンジケート
公開株数1,688株（別に250株）
| 種別 | 証券会社名 | 株数 | 比率 |
|---|---|---|---|
| 主幹事証券 | 日興シティグループ | 1,269 | 75.18% |
| 引受証券 | 野村 | 168 | 9.95% |
| 引受証券 | 大和SMBC | 135 | 8.00% |
| 引受証券 | ウツミ屋 | 50 | 2.96% |
| 引受証券 | 三菱 | 33 | 1.95% |
| 引受証券 | 八幡 | 33 | 1.95% |
大株主（目論見書より）
| 大株主名 | 摘要 | 株数 | 比率 |
|---|---|---|---|
| 藤井修逸 | 代表取締役社長 | 3,419 | 47.91% |
| ジャフコ | ベンチャーキャピタル（ファンド） | 295 | 4.14% |
| 島田愼太郎 | 取締役専務 | 254 | 3.56% |
| ジャフコ・ジー（エー）6号 | ベンチャーキャピタル（ファンド） | 252 | 3.53% |
| ジャフコ・ジー（ビー）6号 | ベンチャーキャピタル（ファンド） | 252 | 3.53% |
| 藤原祥二 | 取締役 | 248 | 3.48% |
| ジャフコ・アール3号 | ベンチャーキャピタル（ファンド） | 236 | 3.31% |
| 堀田暢之 | 取締役常務 | 232 | 3.25% |
| 藤井和壽 | 代表取締役社長の血族 | 220 | 3.08% |
| 広島県－NIF公的投資事業組合1号 | ベンチャーキャピタル（ファンド） | 200 | 2.80% |
業績動向（単位：百万円）
| 決算期 | 種別 | 売上高 | 営業利益 | 経常利益 | 純利益 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2004/08 | 連結予想 | 3,850 | - | 453 | 193 |
| 2003/08 | 連結実績 | 2,754 | - | 340 | 86 |
| 2002/08 | 連結実績 | 1,586 | - | 4 | 15 |
売上高
営業利益
経常利益
純利益
1株あたりの数値（単位：円）
| 決算期 | 種別 | EPS | BPS | 配当 |
|---|---|---|---|---|
| 2003/08 | 連結実績 | - | - | - |
| 2004/08 | 連結予想 | 26,598.64 | 232,807.88 | - |
事業詳細
液晶基板・半導体製造工程（前工程）において使用される製造装置に搭載するプラズマ用高周波電源、マッチングユニット、計測器等の製造、販売、技術サービスを主に展開している。安定したプロセス再現性を持つことが特徴。
例えば、シリコンウェハーは半導体製造装置にあるチャンバー（シリコンウェハーや液晶基板を加工する空間<反応室>）において加工される。チャンバー内に、薄膜の原料となるガスを供給し、そしてプラズマ用高周波電源により高周波電力を供給し、「プラズマ」を発生させる。チャンバー内をプラズマ状態にすることにより、化学反応を起こし、この化学反応によって生じた生成物質をシリコンウェハー上に堆積させ、薄膜を形成している。
アメリカとイギリスに連結子会社を持ち、積極的に海外展開している。セグメントは3部門ある。
（1）高周波電源
プラズマ用高周波電源の製造・販売を主に手掛けている。プラズマ用高周波電源は半導体や液晶製造装置に主に搭載されており、半導体や液晶基板の製造工程において最も広く使用されているプラズマを発生させるために用いる機器。
（2）マッチングユニット
マッチングユニットの製造・販売を主に手掛けている。マッチングユニットは通常、プラズマ用高周波電源とセットで使用されており、プラズマ用高周波電源から出力する高周波電力を、プラズマを発生させる場所であるチャンバーに効率よく送り込むための機器。パソコンと接続することにより、チャンバー内の状態を把握することができる。
（3）その他
プラズマ用高周波電源、マッチングユニットに関連するデジタルRFパワートレーサやアナログ高周波電力計等の製造・販売を主に手掛けている。
今中間期の連結売上高構成比は、高周波電源72.0％、マッチングユニット20.7％、その他7.3％。海外売上高比率は49.6％。
（注）プラズマ
物質に強いエネルギーを与えることにより、電子が飛び出す「電離」が起こる。飛び出した電子を自由電子、残された粒子をイオンと呼び、自由電子とイオンが飛び交う状態、原子核と電子が安定結合していない状態のことを言う。
例えば、シリコンウェハーは半導体製造装置にあるチャンバー（シリコンウェハーや液晶基板を加工する空間<反応室>）において加工される。チャンバー内に、薄膜の原料となるガスを供給し、そしてプラズマ用高周波電源により高周波電力を供給し、「プラズマ」を発生させる。チャンバー内をプラズマ状態にすることにより、化学反応を起こし、この化学反応によって生じた生成物質をシリコンウェハー上に堆積させ、薄膜を形成している。
アメリカとイギリスに連結子会社を持ち、積極的に海外展開している。セグメントは3部門ある。
（1）高周波電源
プラズマ用高周波電源の製造・販売を主に手掛けている。プラズマ用高周波電源は半導体や液晶製造装置に主に搭載されており、半導体や液晶基板の製造工程において最も広く使用されているプラズマを発生させるために用いる機器。
（2）マッチングユニット
マッチングユニットの製造・販売を主に手掛けている。マッチングユニットは通常、プラズマ用高周波電源とセットで使用されており、プラズマ用高周波電源から出力する高周波電力を、プラズマを発生させる場所であるチャンバーに効率よく送り込むための機器。パソコンと接続することにより、チャンバー内の状態を把握することができる。
（3）その他
プラズマ用高周波電源、マッチングユニットに関連するデジタルRFパワートレーサやアナログ高周波電力計等の製造・販売を主に手掛けている。
今中間期の連結売上高構成比は、高周波電源72.0％、マッチングユニット20.7％、その他7.3％。海外売上高比率は49.6％。
（注）プラズマ
物質に強いエネルギーを与えることにより、電子が飛び出す「電離」が起こる。飛び出した電子を自由電子、残された粒子をイオンと呼び、自由電子とイオンが飛び交う状態、原子核と電子が安定結合していない状態のことを言う。
コメント
仮条件分析
会員サービス「トレーダーズ・プレミアム」でご覧ください。
公開価格分析
会員サービス「トレーダーズ・プレミアム」でご覧ください。
初値予想
会員サービス「トレーダーズ・プレミアム」でご覧ください。
初値分析
会員サービス「トレーダーズ・プレミアム」でご覧ください。
追加情報
会員サービス「トレーダーズ・プレミアム」でご覧ください。
